多晶硅还原炉

设备概况：

电极9对/18对硅棒还原炉可生长晶体直径150毫米高纯度多晶硅，炉室直径1200毫米和1700毫米，高度2500毫米，炉内工作压力小于0.1MPa，采用导热油冷却在炉室内，各对电极间架起硅芯桥，采用单片机高压触发器控制SCR移相、八级调压；采用西门子PLC控制逻辑电路。采用西门子还原法在炉室内注入三氯氢硅，通过气相沉积产生高纯度多晶硅。